[发明专利]包括独立可控的栅电极的两位非易失性存储器件及其制造方法无效
申请号: | 200610007065.4 | 申请日: | 2006-02-14 |
公开(公告)号: | CN1832203A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 朴起台;崔正达 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/792 | 分类号: | H01L29/792;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 林宇清;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 独立 可控 电极 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【说明书】:
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