[发明专利]GaAs基InSb薄膜异质外延生长的模拟方法无效
| 申请号： | 200610010315.X | 申请日： | 2006-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1908252A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 李美成;熊敏;王洪磊 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 朱永林 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gaas insb 薄膜 外延 生长 模拟 方法 | ||
【权利要求书】：
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