[发明专利]制作半导体微盘激光器的方法无效
| 申请号： | 200610011924.7 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101075726A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 罗贤树;黄永箴;陈沁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/10;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 半导体 激光器 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种制作半导体微盘激光器的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在清洗干净的结构片表面涂上光刻胶；
(2)通过光刻和显影技术，将所需的图形转移到光刻胶上：
(3)通过非选择性湿法腐蚀或者干法刻蚀，根据模式频率及品质因子与刻蚀深度的变化关系，选择优化的刻蚀深度，通过准确控制刻蚀时间对刻蚀深度加以控制，得到所需的圆柱形微盘激光器。
2、根据权利要求1所述的制作半导体微盘激光器的方法，其特征在于，其中结构片包括衬底和依次生长的下限制层、有源层和上限制层。
3、根据权利要求2所述的制作半导体微盘激光器的方法，其特征在于，其中有源层为半导体应变体材料。
4、根据权利要求2所述的制作半导体微盘激光器的方法，其特征在于，其中有源层为半导体应变量子阱材料。
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