[发明专利]一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法

权利要求书

1、一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，是由两次电子束光刻、三次金属蒸发、一次有机薄膜沉积生长，两次干法刻蚀，获得交叉线有机分子器件的；其特征在于，步骤如下：

步骤1、在基片表面上淀积绝缘层薄膜；

步骤2、在绝缘层薄膜表面上旋涂电子束抗蚀剂，电子束曝光、显影得到下电极图形；

步骤3、蒸发制备下电极金属薄膜；

步骤4、金属剥离得到交叉线下电极；

步骤5、在下电极上覆盖生长有机分子薄膜；

步骤6、在有机分子薄膜上蒸发制备金属保护层；

步骤7、在金属保护层上面旋涂显影速度不同的双层电子束光刻胶，电子束曝光、显影得到上电极图形；

步骤8、斜向蒸发制备上电极金属薄膜；

步骤9、金属剥离得到交叉线上电极；

步骤10、干法刻蚀保护层和有机薄膜层，完成交叉线有机分子器件的制备。

2、根据权利要求1所述的纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其特征在于，其中所述的在基片表面上沉积的绝缘层薄膜是采用热氧化或化学气相沉积的方法获得。

3、根据权利要求1所述的纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其特征在于，其中所述的下电极金属薄膜是采用电子束蒸发或热蒸发金属蒸发的方法得到。

4、根据权利要求1所述的纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其特征在于，金属剥离采用丙酮、乙醇、去离子水液体超声方法，其目的是获得精细的上、下电极纳米交叉阵列图形。

5、根据权利要求1所述的纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其特征在于，其中所述的有机分子薄膜是通过真空蒸发或液相LB膜的方法生长在衬底上的，有机分子薄膜是具有双稳态开关特性的材料。

6、根据权利要求1所述的纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其特征在于，其中所述的金属保护层采用电子束蒸发或热蒸发金属蒸发的方法得到，目的是阻挡有机分子薄膜和有机溶剂接触。

7、根据权利要求1所述的纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其特征在于，其中所述的上电极图形是通过此前的基础上旋涂双层电子束光刻胶，经电子束曝光、显影获得的，这次采用的双层电子束光刻胶显影速度不同，主要是为了获得底部宽大、顶部狭窄的显影图形，从而得到更大的斜蒸自由度。

8、根据权利要求1所述的纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其特征在于，其中所述的上电极金属薄膜是通过金属斜向蒸发的方法获得的，其目的是把交叉点位置放在没有受电子束曝光影响的区域，避免采用经电子束曝光的有机分子薄膜来构成器件。