[发明专利]一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法无效

专利信息
申请号: 200610012078.0 申请日: 2006-06-01
公开(公告)号: CN101083218A 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: 冯士维;张跃宗;孙静莹;张弓长;王承栋 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01R27/00;G01R31/26
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人: 沈波
地址: 100022*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 测量 半导体器件 欧姆 接触 退化 失效 芯片 测量方法
【权利要求书】:

1.一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片,包含在衬底(0)上与衬底(0)结成一体的由半导体材料构成的平台(1),固接在平台(1)表面长度为W的一排电极(2),相邻电极(2)之间的距离从左向右依次递增,其特征在于:在平台(1)表面平行于电极(2)固接有一排与电极(2)一一对应的辅助电极(3)。

2.根据权利要求1所述的测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片,其特征在于:所说的平台(1)形状为梳形,梳齿在电极(2)正下方,辅助电极(3)位于梳齿表面。

3.根据权利要求1所述的测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片,其特征在于:平台(1)高度为0.5~1.0微米。

4.根据权利要求1所述的测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片,其特征在于:较大面积的接触电极(4)与电极(2)及辅助电极(3)相固接。

5.根据权利要求1所述的测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片,其特征在于:衬底(0)是绝缘材料。

6.一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的方法,包含下述步骤:

a)在权利要求1~5任一所述芯片的电极(2)与辅助电极(3)之间加考核电流一段时间;

b)断开考核电流,分别测量相邻电极(2)间总电阻RT,相邻电极(2)间距l,电极(2)长度W;

c)以相邻电极(2)间总电阻RT为纵坐标,相邻电极(2)间距l为横坐标作图,得到斜率为截距为2RC的直线(5),其中RSH是半导体的薄层电阻、RC是两相邻欧姆接触电极的接触电阻;

d)按公式RT=2RC+RSHlW]]>和ρC=RSHLT2计算得到欧姆接触的电阻率ρC,其中特征长度LT为c)所得图形中直线(5)与横坐标交点的横坐标值。

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