[发明专利]一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法无效
申请号: | 200610012078.0 | 申请日: | 2006-06-01 |
公开(公告)号: | CN101083218A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
发明(设计)人: | 冯士维;张跃宗;孙静莹;张弓长;王承栋 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R27/00;G01R31/26 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100022*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测量 半导体器件 欧姆 接触 退化 失效 芯片 测量方法 | ||
1.一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片,包含在衬底(0)上与衬底(0)结成一体的由半导体材料构成的平台(1),固接在平台(1)表面长度为W的一排电极(2),相邻电极(2)之间的距离从左向右依次递增,其特征在于:在平台(1)表面平行于电极(2)固接有一排与电极(2)一一对应的辅助电极(3)。
2.根据权利要求1所述的测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片,其特征在于:所说的平台(1)形状为梳形,梳齿在电极(2)正下方,辅助电极(3)位于梳齿表面。
3.根据权利要求1所述的测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片,其特征在于:平台(1)高度为0.5~1.0微米。
4.根据权利要求1所述的测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片,其特征在于:较大面积的接触电极(4)与电极(2)及辅助电极(3)相固接。
5.根据权利要求1所述的测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片,其特征在于:衬底(0)是绝缘材料。
6.一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的方法,包含下述步骤:
a)在权利要求1~5任一所述芯片的电极(2)与辅助电极(3)之间加考核电流一段时间;
b)断开考核电流,分别测量相邻电极(2)间总电阻RT,相邻电极(2)间距l,电极(2)长度W;
c)以相邻电极(2)间总电阻RT为纵坐标,相邻电极(2)间距l为横坐标作图,得到斜率为截距为2RC的直线(5),其中RSH是半导体的薄层电阻、RC是两相邻欧姆接触电极的接触电阻;
d)按公式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造