[发明专利]气相沉积原位反应制备碳纳米管增强铜基复合材料的方法无效
申请号: | 200610014783.4 | 申请日: | 2006-07-17 |
公开(公告)号: | CN1888103A | 公开(公告)日: | 2007-01-03 |
发明(设计)人: | 赵乃勤;康建立;师春生;杜希文;李家俊 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;C22C9/00;C23C16/26;C01B31/02 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 3000*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 原位 反应 制备 纳米 增强 复合材料 方法 | ||
【权利要求书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610014783.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于中心抽头电感开关的射频双频段压控振荡器
- 下一篇:变频脉冲射流装置