[发明专利]碲铟汞光电探测器

权利要求书

1、一种碲铟汞光电探测器，包括碲铟汞晶片，在碲铟汞晶片的正面生长有钝化保护层，其特征在于：在钝化保护层上设有一对形状对应的刻槽，刻槽贯透钝化保护层，在两刻槽内碲铟汞晶体的表面生长有一层碲铟汞本征氧化层，在刻槽内碲铟汞本征氧化层的表面还生长有透明金属电极层，形成一对透明金属电极；所述的两刻槽为一对梳状刻槽，两梳状刻槽的梳指相互间隔构成叉指结构，两梳状刻槽内的透明金属电极相应成为梳状透明金属电极，两梳状透明电极的梳指相互间隔构成一对义指结构的梳状透明金属电极。

2、根据权利要求1所述的探测器，其特征在于：所述的碲铟汞材料为Hg_3-3xIn_2xTe₃晶体材料，所述的透明金属电极为ITO透明金属氧化物电极。

3、根据权利要求1或2所述的探测器，其特征在于：所述的梳状透明金属电极的梳指宽度为1-20μm，梳指间距为1-20μm，梳指长度为10-5000μm。

4、根据权利要求3所述的探测器，其特征在于：所述的ITO透明金属氧化物电极采用热蒸发或磁控溅射方法形成，其厚度在1000-2000μm之间。

5、一种碲铟汞光电探测器，包括碲铟汞晶片，在碲铟汞晶片的正面生长有钝化保护层，其特征在于：在钝化保护层上设有一对形状对应的刻槽，刻槽贯透钝化保护层，在两刻槽内碲铟汞晶体的表面生长有一层阳极氧化层，在刻槽内阳极氧化层的表面还生长有透明金属电极层，形成一对透明金属电极；所述的两刻槽为一对梳状刻槽，两梳状刻槽的梳指相互间隔构成叉指结构，两刻槽内的阳极氧化层及其表面的透明金属电极也对应成为一对叠层的梳指状结构，从而形成两叉指结构的梳状透明金属电极。

6、根据权利要求5所述的探测器，其特征在于：所述的碲铟汞材料为Hg_3-3xIn_2xTe₃晶体材料，所述的阳极氧化层为碲铟汞本征氧化层，所述的透明金属电极为ITO透明金属氧化物电极。

7、根据权利要求5或6所述的探测器，其特征在于：所述的梳状透明金属电极的梳指宽度为1-20μm，梳指间距为1-20μm，梳指长度为10-5000μm。

8、根据权利要求7所述的探测器，其特征在于：所述的ITO透明金属氧化物电极采用热蒸发或磁控溅射方法形成，其厚度在1000-5000μm之间。