[发明专利]和共面波导集成的侧面进光的10Gb/sAPD管芯及其制作工艺有效
申请号: | 200610019601.2 | 申请日: | 2006-07-11 |
公开(公告)号: | CN1885567A | 公开(公告)日: | 2006-12-27 |
发明(设计)人: | 丁国庆 | 申请(专利权)人: | 武汉电信器件有限公司 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/18 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所 | 代理人: | 黄瑞棠 |
地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波导 集成 侧面 10 gb sapd 管芯 及其 制作 工艺 | ||
【说明书】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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