[发明专利]半导体结构及其形成方法、横向扩散P型金氧半晶体管有效
| 申请号： | 200610019889.3 | 申请日： | 2006-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1967870A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李国廷;伍佑国;陈富信;姜安民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 横向 扩散 型金氧半 晶体管 | ||
【说明书】：
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