[发明专利]制造抗光衰长寿命大功率强照度半导体照明灯的方法无效
| 申请号： | 200610021102.7 | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101082393A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张仲生;卢文全;张福林;刘聪胜 | 申请（专利权）人： | 张仲生;卢文全 |
| 主分类号： | F21S4/00 | 分类号： | F21S4/00 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 罗玉荣 |
| 地址： | 541004广西壮族自治区*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 抗光衰 长寿 命大 功率 照度 半导体 照明灯 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种制造抗光衰大功率半导体照明灯的方法，其特征是：包括如下工艺步骤：
(1)、将LED管芯用耐温1000℃以上的绝缘介质固定在均是铜制镀银的管芯座或支架上，并引出导电引线，LED的热流通道与电流通道各自完全独立；
(2)、将1个以上的上述管芯座或支架通过复合板烧焊在金属的LED组件体上或通过直接烧焊在金属的LED组件体上；
(3)、将1个以上的上述LED组件体用螺钉紧紧连在灯芯体上后，再在LED组件体或灯芯体上设置能给电源提供LED温度信息的感温元件；
(4)、将1个以上的灯芯体安装到金属的灯罩壳体上后，再将导电引线和感温元件与能够对LED灯温度进行监控的恒流电源连接，即形成了一盏完整的抗光衰、大功率的半导体照明灯。
2、根据权利要求1所述的制造抗光衰大功率半导体照明灯的方法，其特征是：所述的LED组件体为圆筒状或方条形。
3、根据权利要求1所述的制造抗光衰大功率半导体照明灯的方法，其特征是：所述的感温元件为热电隅或热敏电阻或温度继电器或半导体温度传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张仲生;卢文全，未经张仲生;卢文全许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610021102.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：柔性电路板及具有其的显示单元和显示装置
- 下一篇：一种氧化气体增压系统
