[发明专利]将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法有效
| 申请号： | 200610023618.5 | 申请日： | 2006-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101008787A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 卢子轩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027;G03F7/42;G03F7/26 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面 曝光 用于 嵌入式 相移 聚焦 离子束 蚀刻 方法 | ||
【权利要求书】：
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