[发明专利]一种大功率晶体管变频电源无效

专利信息
申请号: 200610024924.0 申请日: 2006-03-21
公开(公告)号: CN101127490A 公开(公告)日: 2008-02-20
发明(设计)人: 江国清;刘又红;韩旭;高传德 申请(专利权)人: 上海恒精机电设备有限公司
主分类号: H02M5/44 分类号: H02M5/44;H02M5/458;H02M7/5387
代理公司: 上海世贸专利代理有限责任公司 代理人: 叶克英
地址: 201707上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 大功率 晶体管 变频 电源
【权利要求书】:

1.一种大功率晶体管变频电源,其特征在于它包括三相全桥整流模块,与三相工频交流电源连接,用于将三相工频交流电整流成单相脉动直流电;平波滤波电路,与三相全桥整流模块的输出端连接,用于将单向脉动直流电转换成恒定的直流电流源;逆变桥电路,与平波滤波电路连接,用于将直流电逆变成交流电;负载振荡器,与逆变桥电路的输出端连接,用于产生单相高频交流电;保护电路,连接在平波滤波电路和逆变桥电路之间,用于在工作异常时,将平波滤波电路中的储能快速释放;整流控制电路,用于控制三相全桥整流模块的整流工作;信号采集电路,对逆变桥电路的输出端进行电流检测和电压检测;逆变控制电路,将检测到的电流信号作为初始信号,将检测到的电压信号作为反馈信号,经过处理后用于控制逆变桥电路;信号反馈电路,将检测到的电流信号和电压信号与工频电流信号叠加后分别反馈给控制保护电路、整流控制电路和逆变控制电路。

2.如权利要求1所述的大功率晶体管变频电源,其特征在于逆变桥电路的电路如下所述:第一快速二极管的正极与平波滤波电路的正输出端连接,第一快速二极管的负极与第一绝缘门极晶体管的漏极连接,第一绝缘门极晶体管的源极与第三绝缘门极晶体管的漏极连接,第三绝缘门极晶体管的源极与第三快速二极管的正极连接,第三快速二极管的负极与平波滤波电路的负输出端连接,第二快速二极管的正极与平波滤波电路的正输出端连接,第二快速二极管的负极与第二绝缘门极晶体管的漏极连接,第二绝缘门极晶体管的源极与第四绝缘门极晶体管的漏极连接,第四绝缘门极晶体管的源极与第四快速二极管的正极连接,第四快速二极管的负极与平波滤波电路的负输出端连接,每个绝缘门极晶体管的栅极分别与一个驱动电路的输出端连接,第一IGBT驱动电路的输入端与逆变控制电路的相应输出端连接。

3.如权利要求2所述的大功率晶体管变频电源,其特征在于三相全桥整流模块的电路如下所述:第一可控硅的正极与三相工频交流电源的第一输入端连接,第三可控硅的正极与三相工频交流电源的第二输入端连接,第五可控硅的正极与三相工频交流电源的第三输入端连接,第一可控硅、第三可控硅和第五可控硅的负极相互连接并与平波滤波电路的正输入端连接,第二可控硅的负端与三相工频交流电源的第一输入端连接,第四可控硅的负端与三相工频交流电源的第一输入端连接,第六可控硅的负端与三相工频交流电源的第一输入端连接,第二可控硅、第四可控硅和第六可控硅的负极相互连接并与平波滤波电路的负输入端连接,第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅、第四可控硅、第五可控硅和第六可控硅的控制端分别与整流控制电路的输出端连接。

4.如权利要求3所述的大功率晶体管变频电源,其特征在于平波滤波电路包括与三相全桥整流模块正输出端连接的第一平波滤波电感,以及与三相全桥整流模块负输出端连接的第二平波滤波电感。

5.如权利要求4所述的大功率晶体管变频电源,其特征在于其中保护电路的电路如下:第一二极管的正极与平波滤波电路正输入端连接,第一二极管的负极与限流电感的一端连接,限流电感的另一端与保护可控硅的正极连接,保护可控硅的负极与平波滤波电路的负输入端连接,保护可控硅的控制端与信号反馈电路的输出端连接。

6.如权利要求5所述的大功率晶体管变频电源,其特征在于其中负载振荡器采用并联谐振电路的工作方式,其电路如下:补偿电容器的一端与第二绝缘门极晶体管的源极连接,补偿电容器的另一端与第一绝缘门极晶体管的源极连接,补偿电容器的一端还与耦合输出变压器的一个输入端连接,补偿电容器的另一端还与耦合输出变压器的另一个输入端连接,耦合输出变压器的输出端与负载连接。

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