[发明专利]去除光阻残留的清洗方法以及铜制程的双镶嵌工艺有效
| 申请号： | 200610025648.X | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101055849A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 方标;郭佳衢;杨华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 残留 清洗 方法 以及 铜制 镶嵌 工艺 | ||
1.一种去除光阻残留的清洗方法，其特征在于，包括：
提供一半导体器件，其上沉积有介电层、以及沉积于介电层上的用于辅助完成光刻步骤的深紫外线吸收氧化层，以及深紫外线吸收氧化层之上的深紫外线光阻层，所述深紫外线吸收氧化层为硅氧烷聚合物；
进行光刻以及刻蚀之后进行光刻以及刻蚀之后进行第一化学清洗步骤，在所述步骤中所述深紫外线吸收氧化层的清洗速率快于所述深紫外线光阻层的清洗速率，使得经历所述清洗操作后，部分其下所述深紫外线吸收氧化层被去除的所述深紫外线光阻层浮起；
去离子水冲洗，去除浮起的所述深紫外线光阻层；
第二化学清洗步骤，所述第一化学清洗步骤和第二化学清洗步骤中的清洗剂均为CLK888，所述CLK888包括H2O2，环丁砜，TMAH；
去离子水冲洗；
干燥步骤。
2.如权利要求1所述的去除光阻残留的清洗方法，其特征在于：所述第一清洗步骤化学清洗的时间为30-50分钟。
3.如权利要求1所述的去除光阻残留的清洗方法，其特征在于：所述第二清洗步骤化学清洗的时间为10-30分钟。
4.一种铜制程的双镶嵌工艺，其特征在于，包括：
提供一半导体基底，其上形成一导电结构，以及一介电层形成于该导电结构上，该介电层包括接触孔；
形成用以辅助完成光刻步骤的深紫外线吸收氧化层，所述深紫外线吸收氧化层为硅氧烷聚合物；
形成深紫外线光阻层；
光刻步骤，用于图形转移；
进行光刻以及刻蚀之后进行第一化学清洗步骤，在所述步骤中所述深紫外线吸收氧化层的清洗速率快于所述深紫外线光阻层的清洗速率，使得经历所述清洗操作后，部分其下所述深紫外线吸收氧化层被去除的所述深紫外线光阻层浮起；
去离子水冲洗，去除浮起的所述深紫外线光阻层；
第二化学清洗步骤，所述第一化学清洗步骤和第二化学清洗步骤中的清洗剂均为CLK888，所述CLK888包括H2O2，环丁砜，TMAH；
去离子水冲洗；
干燥步骤；
形成扩散阻挡层；
形成铜互连层。
5.如权利要求4所述的铜制程的双镶嵌工艺，其特征在于，还包括：对铜互连层退火和平坦化处理；
形成介电材料层。
6.如权利要求4所述的铜制程的双镶嵌工艺，其特征在于：所述第一清洗步骤化学清洗的时间为30-50分钟。
7.如权利要求4所述的铜制程的双镶嵌工艺，其特征在于：所述第二清洗步骤化学清洗的时间为10-30分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
