[发明专利]栅极根部缺陷与MOSFET器件性能相关性的仿真方法有效
| 申请号： | 200610026563.3 | 申请日： | 2006-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101075267A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李家豪;刘巍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 根部 缺陷 mosfet 器件 性能 相关性 仿真 方法 | ||
1.一种栅极根部缺陷与金属-氧化物-半导体场效应管性能相关性的仿真方法，其特征在于，包括：
a.设定包含材料参数、载流子输运方程及计算方法的仿真参数，对对应于栅极根部缺陷控制参数的半导体制造工艺进行仿真；
b.进行金属-氧化物-半导体场效应管物理特性模拟，得到形成有所述栅极根部缺陷时所述金属-氧化物-半导体场效应管的特征参数的响应值系列；
c.根据所述栅极根部缺陷控制参数及仿真得到的响应值系列，得出所述栅极根部缺陷控制参数与所述特征参数间的函数。
2.根据权利要求1所述的仿真方法，其特征在于：所述栅极根部缺陷控制参数为所述栅极根部缺陷的长度及高度。
3.根据权利要求1所述的仿真方法，其特征在于：所述特征参数包括漏极饱和电流或阈值电压。
4.根据权利要求1所述的仿真方法，其特征在于：所述函数的自变量为所述栅极根部缺陷控制参数。
5.根据权利要求4所述的仿真方法，其特征在于：所述函数的因变量为所述特征参数。
6.根据权利要求5所述的仿真方法，其特征在于：所述函数的阶数由所述特征参数与所述栅极根部缺陷控制参数间的相关性决定。
7.根据权利要求6所述的仿真方法，其特征在于：所述函数的系数由对给定数据点进行最佳匹配计算而得到。
8.根据权利要求7所述的仿真方法，其特征在于：所述函数的阶数为1，所述特征参数与所述栅极根部缺陷控制参数间满足线性关系。
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