[发明专利]用于提供对电源调节器的开关的系统与方法

权利要求书

1.一种用于提供对电源调节器的开关的系统，所述系统包括：

第一电压源，第一电压源被配置为提供第一电压；

第二电压源，第二电压源被配置为提供第二电压，第二电压不依赖于第一电压；

电耦合到第一电压源的控制器组件，所述控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供至少第一输出信号；

电耦合到第二电压源而不耦合到第一电压源的栅极驱动器组件，所述栅极驱动器组件被配置为接收至少第一输出信号并且响应于至少第二电压和第一输出信号而产生第二输出信号；以及

开关，所述开关被配置为接收第二输出信号以及响应于第二输出信号在第一状态和第二状态之间改变。

2.如权利要求1所述的系统，其中第一状态是“接通”，并且第二状态是“断开”。

3.如权利要求1所述的系统，其中如果所述开关处于第一状态，则所述开关使能来自初级绕组的电流。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述开关从第一状态到第二状态的改变可以由上升时间来表征。

5.如权利要求1所述的系统，其中第二电压是可调节的。

6.如权利要求1所述的系统，其中第二电压不同于第一电压。

7.如权利要求1所述的系统，还包括第一芯片，其中所述控制器组件和所述开关位于第一芯片内。

8.如权利要求1所述的系统，还包括第一芯片和第二芯片，其中所述控制器组件位于第一芯片内，并且所述开关位于第二芯片内。

9.如权利要求1所述的系统，其中所述栅极驱动器组件被偏置到地电压。

10.如权利要求1所述的系统，其中第一电压源包括直流源。

11.如权利要求1所述的系统，其中第一电压源包括交流源。

12.如权利要求1所述的系统，其中所述开关包括双极结晶体管。

13.如权利要求1所述的系统，其中所述开关包括场效应晶体管，所述场效应晶体管包括栅极终端、漏极终端和源极终端。

14.如权利要求13所述的系统，其中场效应晶体管是n型功率MOSFET晶体管。

15.如权利要求13所述的系统，其中第一输入信号是来自所述场效应晶体管的漏极终端的反馈信号。

16.如权利要求13所述的系统，其中第一输入信号是来自所述场效应晶体管的源极终端的反馈信号。

17.如权利要求1所述的系统，其中所述控制器组件包括脉宽调制控制器组件。

18.如权利要求1所述的系统，其中所述控制器组件包括逻辑控制组件。

19.如权利要求1所述的系统，还包括电耦合到所述控制器组件的过电流保护组件。

20.如权利要求1所述的系统，其中所述开关电耦合到初级绕组。

21.一种用于提供对电源调节器的开关的系统，所述系统包括：

第一电压源，第一电压源被配置为提供第一电压；

由第一阻抗值表征的第一阻抗；

由第二阻抗值表征的第二阻抗；

电耦合到第一电压源的控制器组件，所述控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供第一输出信号和第二输出信号；

包括第一晶体管和第二晶体管的栅极驱动器组件，所述栅极驱动器组件被配置为接收第一输出信号和第二输出信号，并且响应于至少第一输出信号和第二输出信号而产生第三输出信号；以及

开关，所述开关被配置为接收第三输出信号，并且响应于第三输出信号在第一状态和第二状态之间改变；

其中：

第一晶体管包括第一终端、第二终端和第三终端；

第二晶体管包括第四终端、第五终端和第六终端；

第一终端电耦合到第一阻抗，并经由第一阻抗耦合到提供第二电压的第二电压源；

第二终端被配置为接收第一输出信号；

第三终端电耦合到第四终端；

第五终端被配置为接收第二输出信号；

第六终端电耦合到第二阻抗，并经由第二阻抗耦合到地；以及

第三输出信号是第三终端和第四终端处的电压。