[发明专利]光刻胶残留物的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及清洗光刻胶残留物的方法。 

背景技术

目前，集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件.集成电路之所以能飞速发展，光刻技术的发展起到了极为关键的作用。 

但是通孔中光刻胶残留物的去除，一直是困扰我们的一个技术难题。硅片在进行工艺加工过程中，常常会被不同的杂质所玷污，这些杂质的玷污将导致IC的良品率下降大约50％。为了获得高质量、高产率的集成电路芯片，必须将这些玷污物去除干净。 

而且，随着IC特征尺寸亚微米、深亚微米方向快速发展，由于通孔被大量的光刻胶残留物堵塞，而造成的通孔丢失，将90nm的良品率损失了15——20％。为了提高90nm的良品率，必须找到新的方法将光刻胶残留物充分清除。 

现有技术中，针对这一问题，目前主要采用对晶片中心长时间冲洗或者扫描冲洗两种冲洗方法，这两种方法对200mm涂胶显影机可以将光刻胶残留物完全冲洗掉，但对300mm涂胶显影机就不能做到。 

面对现有技术这个问题，专利号为ZL99802813.4的中国专利公开了这样一种光刻胶残留物去除的办法，主要是利用化学清洗剂去除光刻胶残留物。所述去除剂是一种含有磷酸铵和/或缩聚磷酸铵的水溶液，pH值在1-10范围内。但是，由于该专利采用的化学清洗剂，成本较高，不利于推广应用。 

另一个专利号为ZL99808801.3的中国专利提供一种水基碱性组合物，通过清除光刻胶残留物和其它不要的污染物以清洗半导体晶片衬底。所述组合物典型地含有一种或多种无金属离子的碱，其含量足以产生约11或更大的pH值，约0.01-5重量％(表示为％SiO↓[2])的水溶性无金属离子的硅酸盐；约0.01-10重量％的一种或多种螯合剂；约0.01-80重量％的一种或多种水溶性有机共溶剂；约1-50重量％的钛残留物清除增强剂；约0.01-1重量％的水溶性表面活性剂。利用该水基碱性组合物作为冲洗液，对晶片进行冲洗，也可以将晶片上的光刻胶残留物冲洗干净。但是，由于利用这种冲洗液对晶片表面的光刻胶残留物进行冲洗，要求冲洗液经常更换，因此生产成本较高，工艺上也不利于推广使用。 

发明内容

本发明提供了一种光刻胶残留物的清洗方法。通过本发明的方法通过对晶片表面这种水溶性的光刻胶残留物进行中心和边缘的两步清洗，能够将晶片上光刻胶残留物的彻底清洗。 

本发明的光刻胶残留物清洗方法包括： 

a首先，对显影后表面带有光刻胶残留物的晶片中心进行冲洗； 

b然后，对晶片边缘进行冲洗。 

步骤a包括：将冲洗液喷头置于晶片中心上方；冲洗液喷头静止，晶片旋转冲洗液从喷头中喷出，自上而下冲洗晶片中心。冲洗时间为(60-120秒)。步骤b包括：将冲洗液喷头置于晶片边缘上方；冲洗液喷头静止，晶片旋转；冲洗液从冲洗液喷头喷出，自上而下地冲洗晶片的边缘。冲洗时间为(20-60秒)。冲洗液为去离子水(DI Water)。所述晶片旋转速度为100---2000转/秒。喷头置于距离晶片边缘表面5-30mm。 

与现有技术相比，本发明具有以下优点： 

本发明采用的将光刻胶残留物充分冲洗掉的方法，通过两步清洗的方式采用去离子水清洗晶片上的光刻胶残留物，相比较其他采用更改冲洗液清除晶片上的光刻胶残留物的方法，不但降低了生产成本。而且，也避免了由于采用了化学冲洗液清除晶片上的光刻胶残留物的同时，造成光阻减薄和图形变差等问题。 

附图说明

图1A为中心冲洗较短时间后的晶片表面示意图； 

图1B为中心短时间冲洗后的剖面图； 

图2为经过中心冲洗较长时间后的晶片表面示意图； 

图3为经过扫描冲洗晶片后晶片表面的示意图； 

图4为根据本发明优选实施例的光刻胶残留物分步冲洗方法的流程图； 

图5A为经过本发明分步冲洗后的晶片表面示意图； 

图5B为经过本发明分步冲洗后的剖面图。 

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。