[发明专利]晶片背面缺陷的移除方法

权利要求书

1、一种晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，该方法包括：

a，确定所述晶片背面各膜层厚度与组成；

b，选用与所述晶片背面外露膜层相应的清洗液对其进行湿法刻蚀，去除该膜层；

c，检查所述晶片背面缺陷是否被移除，若是，该晶片进入下道工序；否则转到步骤b。

2、如权利要求1所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，步骤a包括：从所述晶片制造历史记录中查找背面各膜层组成及厚度。

3、如权利要求1所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述晶片背面膜层材料包括氮化硅、氧化硅和单晶硅。

4、如权利要求1所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，步骤b包括：

b1，将所述背面有缺陷的晶片置于晶片表面处理装置；

b2，所述晶片表面处理装置向所述晶片背面喷洒第一清洗液；

b3，所述晶片表面处理装置向所述晶片背面喷洒第二清洗液；

b4，用气体吹干晶片背面，从所述晶片表面处理装置中取出晶片。

5、如权利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述的晶片表面处理装置为单晶片湿法清洗装置。

6、如权利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：在所述的晶片表面处理装置用机械手卡住晶片侧面并使晶片背面朝上。

7、如权利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：步骤b2和b3中晶片处于旋转状态。

8、如权利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，步骤b2包括：

b21，将第一清洗液喷嘴置于所述晶片背面中心上方位置；

b22，第一清洗液喷嘴向所述晶片背面喷洒第一清洗液；

b23，第一清洗液喷嘴停止向所述晶片背面喷洒第一清洗液；

b24，第一清洗液喷嘴回到原来位置。

9、如权利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述第一清洗液的喷洒时间由所述外露膜层的厚度决定。

10、如权利要求4或8或9所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述第一清洗液包括氢氟酸、硝酸、磷酸中的一种或其混合。

11、如权利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，步骤b2包括：所述晶片表面处理装置向所述的晶片正面吹氮气。

12、如权利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，步骤b3包括：

b31，将第二清洗液喷嘴置于所述晶片背面中心上方位置；

b32，第二清洗液喷嘴向晶片背面喷洒第二清洗溶液；

b33，第二清洗液喷嘴停止向晶片背面喷洒第二清洗溶液；

b34，第二清洗液喷嘴回到原来位置。

13、如权利要求12所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述第二清洗液为去离子水。

14、如权利要求4所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述的气体包括氮气。

15、如权利要求1所述的晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于：所述的检查晶片背面缺陷的方法包括目检。