[发明专利]半导体光学器件顶部金属层表面介质层的移除方法有效
| 申请号： | 200610027843.6 | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101093865A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 杨振良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 光学 器件 顶部 金属 表面 介质 方法 | ||
1.一种半导体光学器件顶部金属层表面介质层的移除方法，所述顶部金属层具有图形区及图形线缝区，所述介质层覆盖顶部金属层图形区并填充顶部金属层的图形线缝区，其特征在于，包括：
在所述介质层上形成一牺牲层；
刻蚀所述牺牲层及介质层；
露出顶部金属层图形区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述刻蚀方法采用等离子体刻蚀。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述牺牲层覆盖介质层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述牺牲层的形成方法为旋涂法。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述牺牲层材料的选择区别于介质层材料。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述牺牲层材料的刻蚀速率低于所述介质层材料的刻蚀速率。
7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于：所述牺牲层材料和介质层材料的刻蚀速率之差保证所述牺牲层刻蚀完成后，填充顶部金属层图形线缝区的介质层表面高于覆盖顶部金属层图形区的介质层表面。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述牺牲层材料及介质层材料的刻蚀速率之差可通过调整工艺参数控制。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述工艺参数包括刻蚀气体的选择、刻蚀功率、刻蚀气体压力等。
10.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于：所述牺牲层材料可选用光刻胶、旋涂二氧化硅、各种合成树脂等材料中的一种。
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