[发明专利]石斛种植方法及种植装置

权利要求书

1、一种石斛种植方法，其特征在于包括以下步骤：

a、制作种植支架，所述种植支架至少包括一侧具有一定坡度的支撑斜面，每个支撑斜面上设置两个以上活动式种植横槽，每个活动式种植横槽沿着支撑斜面呈阶梯放置；

b、在每个活动式种植横槽内放置培养土，并将石斛种苗种植在培养土中；

c、在种植支架的上方设置塑料大棚和遮阳布；

d、在种植支架的上方设置滴水装置或喷淋装置。

2、根据权利要求1所述的石斛种植方法，其特征在于：还包括在大棚内设置水雾发生器。

3、根据权利要求1或2所述的石斛种植方法，其特征在于：所述种植支架由两个三角形支撑脚相连接组成，两个三角形支撑脚的两斜边分别构成两侧具有一定坡度的支撑斜面，每个支撑斜面上设置5～10个活动式种植横槽。

4、根据权利要求3所述的石斛种植方法，其特征在于：所述三角形支撑脚的高度为80～200cm，底部宽度为60～100cm，两个三角形支撑脚之间的距离为60～500cm。

5、根据权利要求4所述的石斛种植方法，其特征在于：所述活动式种植横槽的截面为梯形或矩形，长度为80～600cm，高度为8～15cm，开口宽度为10～25cm，种植横槽的侧面和底面分别设置若干个孔。

6、一种石斛种植装置，其特征在于：包括种植支架(1)、活动式种植横槽(2)，所述种植支架至少包括一侧具有一定坡度的支撑斜面(3)，每个支撑斜面(3)上设置两个以上活动式种植横槽(2)，每个活动式种植横槽(2)沿着支撑斜面(3)呈阶梯放置。

7、根据权利要求6所述的石斛种植装置，其特征在于：所述种植支架(1)由两个三角形支撑脚相连接组成，两个三角形支撑脚的两斜边分别构成两侧具有一定坡度的支撑斜面(3)，每个支撑斜面(3)上设置5～10个活动式种植横槽(2)。

8、根据权利要求7所述的石斛种植装置，其特征在于：所述三角形支撑脚的高度为80～200cm，底部宽度为60～100cm，两个三角形支撑脚之间的距离为60～500cm。

9、根据权利要求8所述的石斛种植装置，其特征在于：所述活动式种植横槽(2)的截面为梯形或矩形，长度为80～600cm，高度为8～15cm，开口宽度为10～25cm，种植横槽(2)的侧面和底面分别设置若干个孔(4)。