[发明专利]一种有效控制CMP研磨残膜厚的方法

权利要求书

1.一种有效控制CMP研磨残膜厚的方法，其特征在于，根据实际测得的产品平均研磨时间、平均前磨厚度、平均先导光片研磨速率、平均研磨速率和平均厚度控制研磨时间，其研磨时间计算公式如下：

$t=\stackrel{\‾}{t}+(\mathrm{Tp}-\stackrel{\‾}{T}p)/r+((\stackrel{\‾}{r}-r)*m)/\stackrel{\‾}{R}*\stackrel{\‾}{t}+(\stackrel{\‾}{T}\mathrm{post}-\mathrm{Tt})/2r$

其中：是前5～10个批次产品的平均研磨时间；

是前5～10个批次产品的平均前膜厚度；

是前5～10个批次产品的平均先导光片研磨速率；

是前5～10个批次产品的平均研磨速率；

是前5～10个批次产品的平均厚度，

m是光片研磨速率、制品研磨速率变化的修正因子m＝1.0+/-0.4。

2.如权利要求1所述的有效控制CMP研磨残膜厚的方法，其特征在于，所述先导光片为与待研磨的膜质相同或不同的无图形硅片。