[发明专利]清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法无效
| 申请号： | 200610028778.9 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101104936A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 李阳柏;张传民;文静;林军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23F3/00 | 分类号： | C23F3/00;B08B3/08;B24C1/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清除 钨插塞 合金 处理 表面 形成 氧化 方法 | ||
1.一种清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于采用化学机械抛光法清除钨插塞表面的氧化层。
2.根据权利要求1所述的清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于化学机械抛光法所用抛光液采用非氧化性研磨料。
3.根据权利要求2所述的清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于所述的研磨料为非氧化性研磨料为二氧化硅类研磨料、二氧化铈、氧化铝。
4.根据权利要求1所述的清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于所述的二氧化硅类研磨料包括气相二氧化硅和胶体二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于所述研磨料在抛光液中的质量百分比含量大于0小于等于30％。
6.根据权利要求5所述的清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于所述研磨料在抛光液中的质量百分比含量为5％至25％％。
7.根据权利要求2所述的清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于所述研磨料粒子的平均直径为30nm至200nm。
8.根据权利要求1所述的清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于所述化学机械抛光法所用抛光液还包括的KOH或者NH4OH添加剂。
9.根据权利要求1所述的清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于所述化学机械抛光法所用抛光液的pH值在7至11之间。
10.根据权利要求1所述的清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于所述化学机械抛光法所用抛光液的pH值在10至11之间。
11.根据权利要求1所述的清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于所述化学机械抛光法所用抛光液为SS-25型抛光液，抛光液中研磨料为SiO2，质量百分比含量为25％，KOH的质量百分比含量小于1％，pH介于10至11之间。
12.根据权利要求1所述的清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于化学机械抛光时在钨插塞上的压力为1至6PSI，抛光垫的速度在30至130RPM/min之间。
13.根据权利要求1所述的清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于化学机械抛光时在钨插塞上的压力为2至3PSI，抛光垫的速度在70至80RPM/min之间。
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