[发明专利]半导体器件漏电流检测方法

权利要求书

1.一种半导体器件漏电流检测方法，其特征在于，包括：

获得漏极电流与栅极电压关系曲线；

将所述漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得具有第一峰值和第二峰值的跨导与栅极电压关系曲线；

计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；

将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：得到所述漏极电流与栅极电压关系曲线前，需给定器件工作电压及衬底电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述器件工作电压为使器件工作于线性区或饱和区的任意电压值。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述器件衬底电压为任意合理电压值。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述跨导取值区间为小于栅极电压测试范围的任意合理电压值。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述预设判别标准为所述比值小于1.1。

7.一种半导体器件漏电流检测方法，其特征在于，包括：

获得亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线；

将所述亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得具有第一峰值和第二峰值的亚阈值区跨导与栅极电压关系曲线；

计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；

将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：得到所述亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线前，需给定器件工作电压及衬底电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述器件工作电压为使器件工作于线性区或初始饱和区的任意电压值。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述器件衬底电压为任意合理电压值。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述跨导取值区间为小于栅极电压测试范围的任意合理电压值。

12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述预设判别标准为所述比值小于1.1。

13.一种半导体器件漏电流检测方法，其特征在于，包括：

施加使器件进入初始饱和状态的栅极电压，记录所述栅极电压值；

以所述栅极电压值为起始电压，通过逐渐减小所述栅极电压值，逆序进行电性测试，获得亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线；

将所述亚阈值区漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得具有第一峰值和第二峰值的亚阈值区跨导与栅极电压关系曲线；

计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；

将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于：通过控制电流调节栅极电压，使所述栅极电压值接近器件的阈值电压。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：所述控制电流值取为1微安。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于：得到所述漏极电流与栅极电压关系曲线前，需给定器件工作电压及衬底电压。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：所述器件工作电压为使器件工作于线性区或初始饱和区的任意电压值。

18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：所述器件衬底电压为任意合理电压值。

19.根据权利要求13所述的方法，其特征在于：所述跨导取值区间为小于栅极电压测试范围的任意合理电压值。

20.根据权利要求13所述的方法，其特征在于：所述预设判别标准为所述比值小于1.1。