[发明专利]用氧化物覆盖层提高沟填充均匀性的方法无效
| 申请号： | 200610028918.2 | 申请日： | 2006-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101106099A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 刘明源;张文广 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 覆盖层 提高 填充 均匀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.用氧化物覆盖层提高沟填充均匀性的方法，应用于集成电路制造工艺中的浅沟隔离制程，其特征在于，在所述的浅沟隔离制程完成沟填充沉积后，继续在沟填充沉积形成的浅沟隔离膜层之上沉积形成二氧化硅覆盖层，提高膜层均匀性。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅覆盖层沉积的厚度控制在1000埃到1500埃之间。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，沉积形成所述二氧化硅覆盖层的方法是化学气相沉积。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积的条件控制为：射频功率2000～4000W，射频偏压功率1000～2000W，O2流量80～120sccm，SiH4流量30～60sccm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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