[发明专利]延长等离子蚀刻系统中反应腔使用寿命的方法有效
| 申请号： | 200610028977.X | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101106069A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 张胜凯;黄文助;杨涛;刘芳文;杨利;许进;黄海;季鹏联;曾最新;蒋广平;蓝仁隆;张仲荣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;C23F4/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 延长 等离子 蚀刻 系统 反应 使用寿命 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种延长等离子蚀刻系统中反应腔使用寿命的方法，其特征在于，在使用所述反应腔前，其进气口部位以聚四氟乙烯或者陶瓷构成的覆盖物盖住腔壁，然后再使用反应腔。
2.如权利要求1所述的覆盖物，是一种覆盖环套，其特征在于包括下列结构：
中间有圆孔的环形垫片；
圆筒形突起结构，以环形垫片中间的圆孔边缘为基础向上延伸，其与环形垫片的平面垂直相接，圆筒形与环形垫片的圆孔相适应。
3.如权利要求2所述的覆盖环套，其特征在于所述覆盖环套所有结构为一体成型。
4.如权利要求2所述的覆盖环套，其特征在于所述覆盖环套采用聚四氟乙烯为材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
