[发明专利]真空检测装置无效
申请号: | 200610029071.X | 申请日: | 2006-07-18 |
公开(公告)号: | CN101110363A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 裴雷洪;华伟 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾继光 |
地址: | 201206上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 检测 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于进行热退火工艺的半导体生产设备的真空检测装置。
背景技术
如图1所示,目前进行热退火工艺的半导体生产设备,以美国Metron公司生产的Hp8800为例,其工艺要求在纯N2的条件下进行硅片表面的热退火,而工艺腔体的门开关是由气缸控制,然后通过检测门上双密封圈11间的真空度来确认该门是否密封,双密封圈的真空原来是通过一个真空泵来抽的,由于真空泵12是一个易损坏部件,因此这种真空检测装置的故障率高,稳定性差,影响了设备的生产效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种真空检测装置,可减少故障的发生率,提高真空检测的稳定性。
为解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:即该装置包括:一个三通阀,安装在主真空管道上;在三通阀新分出的一路真空管道上的一常开气动阀,该气动阀的开关通过另一路真空管道与控制腔体门开关的气缸连接在一起。
本发明由于采用了上述技术方案,具有这样的有益效果,即避免了易损坏部件真空泵的使用,减少了故障发生率,提高了真空检测的稳定性,并且提高了生产效率。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1是传统真空检测装置的结构示意图;
图2是本发明所述真空检测装置的结构示意图。
具体实施方式
如图2所示,本发明所述的真空检测装置在原有设备连接机械手23和对准器24的主真空管道上增加一个三通阀25,以分出一路真空,在该新分出的真空管道上安装有一常开气动阀21,并通过另一真空管道将驱动腔体门开关的气缸22和该气动阀21的开关连接在一起,以实现使用气缸中的气体来控制气动阀的开关,从而实现了对门开关与气动阀的开关的同步控制。这样当需取送硅片而打开工艺腔体的门时,气动阀的开关将会在气缸中气体的压力控制下关闭该气动阀,而当工艺腔体的门关闭后,若工艺腔体中双密封圈间的气体是真空的,则气动阀的开关则会因不受气缸中气体的压力而打开。由此,实现了同步检测真空的目的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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