[发明专利]用于高压制程的器件隔离结构及其制作方法

权利要求书

1.一种用于高压制程的器件隔离结构，其特征在于：包括具有低压区域和高压区域的半导体硅衬底，通过光刻打开低压区域并且在低压区域形成STI隔离结构，通过光刻打开高压区域并且在高压区域形成LOCOS隔离结构。

2.根据权利要求1所述的用于高压制程的器件隔离结构，其特征在于：所述LOCOS隔离结构高出半导体衬底平面的二氧化硅研磨平整。

3.一种如权利要求1所述的器件隔离结构的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

首先，在半导体衬底上，通过光刻在低压区域利用标准STI工艺制作STI隔离结构；

然后，通过光刻打开高压区域，在保持低压区域不受影响的前提下，在高压区域利用标准LOCOS制作工艺制作隔离结构。

4.一种如权利要求1或2中任何一项所述的器件隔离结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

首先，在半导体衬底上，通过光刻在高压区域利用标准LOCOS工艺制作LOCOS隔离结构；

利用CMP工艺，将高压隔离LOCOS区域高出硅衬底平面的二氧化硅稍许研磨平整；

通过光刻打开低压区域，在保持高压区域不受影响的前提下，在低压区域利用标准STI工艺制作STI隔离结构。