[发明专利]用于抛光低介电材料的抛光液无效
| 申请号： | 200610029268.3 | 申请日： | 2006-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101108952A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 陈国栋;宋伟红;荆建芬;徐春;顾元 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 低介电 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于抛光低介电材料的抛光液，该抛光液包括掺铝二氧化硅磨料和水，其特征在于：其还包括含铵根离子或季铵类的小分子活性物质。
2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的活性物质包括氨水、五硼酸铵、酒石酸铵、四甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵和/或四丁基四氟硼酸铵。
3.如权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述的活性物质的用量为0.001～0.5％。
4.如权利要求3所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅磨料的浓度为1～20％。
5.如权利要求1～4任一项所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅磨料为溶胶型掺铝二氧化硅分散液。
6.如权利要求5所述的抛光液，其特征在于：所述的溶胶型掺铝二氧化硅分散液的pH值为2～7。
7.如权利要求5所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅磨料的粒径是5～500nm。
8.如权利要求7所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅磨料的粒径是5～100nm。
9.如权利要求1～4任一项所述的抛光液，其特征在于：该抛光液的pH值为2～7。
10.如权利要求1～4任一项所述的抛光液，其特征在于：所述的抛光液还包括阻蚀剂、氧化剂、速率增助剂和/或表面活性剂。
11.如权利要求1～4任一项所述的抛光液，其特征在于：所述的低介电材料是掺碳二氧化硅。
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