[发明专利]确定半导体特征的方法和系统

权利要求书

1.一种用于确定部分处理的集成电路的一个或者多个特征的方法，包 括：

提供衬底材料，所述衬底材料通过衬底厚度和衬底直径来表征；

在衬底材料内形成至少一个开口，所述开口通过至少一个开口特征来表 征，所述开口特征为所述衬底厚度一部分内的深度和开口宽度，所述厚度和 宽度与未知体积相关；

提供预定量的填充材料；

处理所述填充材料，以使所述填充材料的第一部分进入开口中，并占据 与所述开口特征相关的整个未知体积，而所述填充材料的第二部分保持在与 所述开口特征相关的未知体积外；

采用一个或者多个工艺来处理所述填充材料的第二部分，以确定与未知 体积相关的空间特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成开口包括蚀刻。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述部分处理的集成电路用于生产 电容。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成开口包括深沟槽形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成开口包括第一生长材料的生 长。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述填充材料包括流体材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述填充材料由液体材料组成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述填充材料包括聚合物材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述填充材料的第二部分包 括：

确定与填充材料的第二部分相关的填充特征；

基于所述填充特征来确定与未知体积相关的空间特征。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述填充特征包括体积变化。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述填充特征包括所述第二部分 的厚度。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述填充特征包括所述填充材料 的凹陷时间。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述填充特征包括所述填充材料 的灰化时间。

14.根据权利要求1所述的方法，进一步包括所述填充材料的去除。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括所述填充材料的部分去除。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口特征包括沟槽深度。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口特征包括开口尺寸。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口特征包括电容。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口特征包括深宽比。

20.根据权利要求9所述的方法，其中确定空间特征包括：

提供一组参考数据；

比较所述填充特征和所述参考数据。

21.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括覆盖衬底材料的多 个膜。

22.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括硅晶片，该硅晶片 包括覆盖的一个或多个膜。

23.根据权利要求1所述的方法，其中开口宽度和开口深度包含至少为 7的深宽比(深度/宽度)。

24.根据权利要求23所述的方法，其中所述开口宽度为约200nm或者 更少。