[发明专利]去除硅片背面氮化硅膜的方法无效
| 申请号： | 200610029618.6 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101118855A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 刘须电;荣毅;仓凌盛;王明琪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 硅片 背面 氮化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种去除硅片背面氮化硅膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，将背面有氮化硅膜的硅片放置于背面旋转刻蚀装置中；第二步，将上述硅片浸泡在氢氟酸药液中；第三步，将黏附在硅片表面的氢氟酸溶液旋转甩离硅片表面；第四步，用去离子水对硅片进行水洗；第五步，在背面旋转刻蚀装置中通入N2，对硅片进行干燥。
2.如权利要求1所述的去除硅片背面氮化硅膜的方法，其特征在于，氢氟酸药液的浓度在40wt％到50wt％之间。
3.如权利要求1所述的去除硅片背面氮化硅膜的方法，其特征在于，第二步中硅片的旋转速度为500-2500转/分钟，氢氟酸药液流量为0.5-2.5升/分钟。
4.如权利要求1所述的去除硅片背面氮化硅膜的方法，其特征在于，第三步中硅片旋转速度为500-2500转/分钟，背面旋转刻蚀装置中无药液喷出。
5.如权利要求1所述的去除硅片背面氮化硅膜的方法，其特征在于，第四步中硅片旋转速度为500-2500转/分钟，去离子水流量为0.5-2.5升/分钟。
6.如权利要求1所述的去除硅片背面氮化硅膜的方法，其特征在于，第五步中硅片旋转速度为500-2500转/分钟，N2流量为100-500升/分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
