[发明专利]无机电致发光显示器绝缘介质及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610029809.2 申请日: 2006-08-08
公开(公告)号: CN101123282A 公开(公告)日: 2008-02-13
发明(设计)人: 黄浩;肖田;林明通;徐毅 申请(专利权)人: 上海广电电子股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L27/15;H01L21/31;H01L21/316;C23C14/00;C23C14/30;C23C14/34
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 吴宝根
地址: 200060*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 无机 电致发光 显示器 绝缘 介质 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种无机电致发光显示器绝缘介质,包括下介质层、上介质层;其特征在于,所述介质层为复合薄膜。

2.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述下介质层为多层结构的Al2O3/TiO2复合薄膜。

3.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述上介质层为多层结构的Al2O3/TiO2复合薄膜。

4.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述上介质层为AlxTiyO2/Al2O3复合薄膜。

5.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述上介质层为多层结构的Al2O3/TiO2/Al2O3复合薄膜。

6.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述下介质层为钛酸钡和钛酸锶复合薄膜。

7.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述下介质层为钛酸钡薄膜。

8.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述介质层为AlxTiyOz薄膜。

9.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述下介质层为钛酸锶钡薄膜。

10.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述发光层为掺锰硫化锌。

11.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述下介质层为厚度在200-1000nm之间的钛酸钡薄膜。

12.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述下介质层为厚度在30-500nm之间的钛酸锶钡薄膜。

13.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述下介质层为厚度在300-1000nm之间的AlxTiyOz薄膜。

14.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述上介质层为厚度在300-1000nm之间的AlxTiyOz薄膜。

15.权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质,其特征在于,所述发光层的厚度在300nm——1200nm之间。

16.一种权利要求1所述的无机电致发光显示器绝缘介质的制造方法,其特征在于,介质的制造方法为双源脉冲电子束蒸发和共蒸发制备复合薄膜介质层的制造方法:

1)在电子束蒸发镀膜机的一个坩埚装Al2O3蒸发料,在反方向位置的另一个坩埚装TiO2蒸发料,坩埚为Al2O3质,沉积时本底真空为2.5-3.5×10-3Pa,基片温度控制在100℃,然后往真空室通入高纯O2,气压保持在3.2×10-2Pa;

2)启动Al2O3蒸发源,沉积速率控制在3.0·s-1,到设计厚度后,关闭Al2O3蒸发源;

3)把基片转到反方向,启动TiO2蒸发源,沉积速率控制在2.5·s-1,如此反复步骤2)和3),直到达到设定的总厚度后停止沉积。

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