[发明专利]采用旋胶和光刻工艺封装发光二极管的方法

权利要求书

1.一种采用旋胶和光刻工艺封装发光二极管的方法，主要包括：单色发光芯片、引线、荧光粉胶层、晶圆片基板，其特征在于所述荧光粉胶层采用旋胶工艺制作，所述旋胶工艺是在晶圆片基板旋转时滴入含有荧光粉的胶液，使胶液均匀涂覆于晶圆片基板上，形成一层厚度均匀的含荧光粉胶层，并采用光刻、显影、切割工艺完成LED封装。

2.根据权利要求1所述的采用旋胶和光刻工艺封装发光二极管的方法，其特征在于所述胶液为光敏性胶液。

3.根据权利要求1所述的采用旋胶和光刻工艺封装发光二极管的方法，其特征在于所述荧光粉胶层厚度为0.1～1.0mm。

4.根据权利要求1所述的采用旋胶和光刻工艺封装发光二极管的方法，其特征在于所述荧光粉胶液粘度为1000cP-5000cP。

5.根据权利要求1所述的采用旋胶和光刻工艺封装发光二极管的方法，其特征在于所述旋胶工艺中晶圆片转速与胶液粘度有关，一般控制在300-2000转/分。

6.根据权利要求1所述的采用旋胶和光刻工艺封装发光二极管的方法，其特征在于所述晶圆片基板为硅圆片或陶瓷片。