[发明专利]金属互连层的制造方法有效
| 申请号： | 200610029911.2 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123210A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 姬峰;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 制造 方法 | ||
1.一种金属互连层的制造方法，包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成介质层；
将所述介质层曝露于高温氧气气氛中；
在所述介质层上形成抗反射层；
在所述抗反射层上旋涂光刻胶并形成沟槽图案；
刻蚀将所述沟槽图案转移倒所述介质层中；
在所述沟槽中形成互连金属层。
2.如权利要求1所述的金属互连层的制造方法，其特征在于：所述介质层材料为氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、三氧化二硅烷、纳米多孔硅、非晶氟化碳、聚酰亚胺中的一种或其组合。
3.如权利要求1所述的金属互连层的制造方法，其特征在于：所述介质层的形成方法为物理气相沉积或化学气相沉积。
4.如权利要求1所述的金属互连层的制造方法，其特征在于：介质层曝露于高温氧气气氛的时间为10～30S。
5.如权利要求1所述的金属互连层的制造方法，其特征在于：所述高温氧气的温度为200～300℃。
6.如权利要求1所述的金属互连层的制造方法，其特征在于：所述高温氧气气氛的气压为1～2T。
7.如权利要求1所述的金属互连层的制造方法，其特征在于：所述抗反射层为有机抗反射材料。
8.如权利要求1所述的金属互连层的制造方法，其特征在于：所述金属层材料为铜或铝。
9.如权利要求1所述的金属互连层的制造方法，其特征在于：所述形成金属层的方法为原子层沉积、电镀或物理气相沉积。
10.如权利要求1所述的金属互连层的制造方法，其特征在于：该方法进一步包括：形成介质层之前在所述半导体衬底上形成刻蚀停止层。
11.如权利要求9所述的金属互连层的制造方法，其特征在于：所述刻蚀停止层材料可以是氮化硅或氧化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610029911.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
