[发明专利]铅锡合金凸点制作方法有效
| 申请号： | 200610029914.6 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123196A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 合金 制作方法 | ||
1.一种铅锡合金凸点制作方法，包括下列步骤：
在晶片上沉积凸点下金属层；
在凸点下金属层上形成光刻胶层、并通过曝光和显影形成光刻胶开口；
在光刻胶开口位置的凸点下金属层上形成过渡铅锡合金层；
在过渡铅锡合金层上电镀铅锡合金焊料；
去除光刻胶和凸点下金属层；
回流铅锡合金焊料形成铅锡合金凸点。
2.根据权利要求1所述的铅锡合金凸点制作方法，其特征在于，所述形成过渡铅锡合金层的工艺为电镀工艺。
3.根据权利要求2所述的铅锡合金凸点制作方法，其特征在于，所述电镀形成过渡铅锡合金层的电流密度为0.1A/dm2至1A/dm2。
4.根据权利要求3所述的铅锡合金凸点制作方法，其特征在于，所述电镀形成过渡铅锡合金层的电流密度为0.5A/dm2至1A/dm2。
5.根据权利要求2所述的铅锡合金凸点制作方法，其特征在于，在凸点下金属层上电镀形成过渡铅锡合金层的时间为1分钟至5分钟。
6.根据权利要求5所述的铅锡合金凸点制作方法，其特征在于，在凸点下金属层上电镀形成过渡铅锡合金层的时间为1分钟至2分钟。
7.根据权利要求2所述的铅锡合金凸点制作方法，其特征在于，沉积铅锡合金焊料采用的电镀溶液与电镀形成过渡铅锡合金层的电镀溶液相同。
8.根据权利要求1或者2所述的铅锡合金凸点制作方法，其特征在于，所述的过渡铅锡合金层厚度为0.2um至4um。
9.根据权利要求7所述的铅锡合金凸点制作方法，其特征在于，所述的过渡铅锡合金层厚度为0.5um至2um。
10.根据权利要求1或者2所述的铅锡合金凸点制作方法，其特征在于，所述的过渡铅锡合金层为95wt％Pb、5wt％Sn或者97wt％Pb、3wt％Sn或者共熔37wt％Pb、63wt％Sn合金。
11.根据权利要求1或者2所述的铅锡合金凸点制作方法，其特征在于，所述在过渡铅锡合金层上沉积铅锡合金焊料的电流密度为3A/dm2至10A/dm2。
12.根据权利要求1或者2所述的铅锡合金凸点制作方法，其特征在于，所述铅锡合金焊料为95wt％Pb、5wt％Sn或者97wt％Pb、3wt％Sn或者共熔37wt％Pb、63wt％Sn合金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
