[发明专利]金属前绝缘层的填充方法有效
| 申请号： | 200610029921.6 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123206A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 张文广;刘明源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 填充 方法 | ||
1.一种金属前绝缘层的填充方法，包括：
在衬底表面形成栅极及环绕栅极的侧墙；
在衬底表面形成阻挡层，所述阻挡层覆盖栅极及侧墙表面，任意两覆盖阻挡层材料的栅极间具有缝隙，所述缝隙具有开口；
溅蚀部分阻挡层，以扩大栅极间缝隙开口；
沉积金属前绝缘层，所述金属前绝缘层材料填充栅极间缝隙。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述栅极的材料包含多晶硅、金属或金属硅化物等材料中的一种或其组合。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述侧墙的材料包含二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述阻挡层的材料包含氮化硅。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：执行所述溅蚀操作的气体为氩气和氧气。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述缝隙开口的大小及形状通过控制氩气和氧气的气流方向和流量确定。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述氩气沿竖直方向和水平方向的刻蚀选择比高于5:1，且小于所述缝隙的深度与所述阻挡层的厚度的比值。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述溅蚀工艺分步进行。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述氧气的流量在溅蚀过程中保持不变。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述金属前绝缘层材料包含磷硅玻璃、硼硅玻璃以及硼磷硅玻璃等材料中的一种或其组合。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述栅极间缝隙的填充采用高密度等离子体化学气相沉积工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
