[发明专利]化学机械研磨方法有效
| 申请号： | 200610029924.X | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101121243A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 檀广节;李强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/304;B24B57/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学机械研磨方法，包括：
提供数个研磨垫和数个研磨头，用于研磨晶片上的材料层；
提供数个防腐剂供给装置，所述防腐剂供给装置用以向所述研磨垫供给防腐剂；
所述数个研磨垫同时开始对不同的晶片进行研磨；
向完成研磨的晶片表面供给防腐剂至所有晶片完成研磨时为止。
2.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述研磨垫包括第一研磨垫，第二研磨垫及第三研磨垫。
3.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述研磨头包括第一研磨头，第二研磨头，第三研磨头及第四研磨头。
4.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述材料层为铜、钽、钛、钨或铝中的一种或其组合。
5.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述防腐剂为苯并三氮唑或三乙醇胺。
6.如权利要求5所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述防腐剂供给流量为10～300cc/s。
7.如权利要求5所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述防腐剂的温度为20～25℃。
8.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：该方法进一步包括对完成研磨的晶片表面进行清洗。
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