[发明专利]一种用于半导体工艺后段制程的聚合物残留去除方法无效
| 申请号： | 200610030085.3 | 申请日： | 2006-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101126909A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 吴关平;高燕;张颂周 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 工艺 后段 聚合物 残留 去除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于半导体工艺后段制程的聚合物残留去除方法，包括下列步骤：
(1)对刻蚀后的硅片进行干法去胶；
(2)对经过步骤(1)处理的硅片进行湿法清洗；
其特征在于，所述的方法于步骤(2)之后再重复一步干法去胶步骤。
2.如权利要求1所述的用于半导体工艺后段制程的聚合物残留去除方法，其特征在于：所述的干法去胶步骤，时间介于0.75至2.0分钟之间，温度介于200至270℃。
3.如权利要求2所述的用于半导体工艺后段制程的聚合物残留去除方法，其特征在于：所述的刻蚀后的硅片包括一集成电路结构，且该集成电路结构具有一侧壁。
4.如权利要求3所述的用于半导体工艺后段制程的聚合物残留去除方法，其特征在于：所述的集成电路结构是一压点。
5.如权利要求3所述的用于半导体工艺后段制程的聚合物残留去除方法，其特征在于：所述的集成电路结构是一通孔。
6.如权利要求3所述的用于半导体工艺后段制程的聚合物残留去除方法，其特征在于：所述的集成电路结构是一接触孔。
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