[发明专利]应用沟道漏电衡量器件失效的方法无效
| 申请号： | 200610030307.1 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101131411A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 胡晓明;万星拱 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用 沟道 漏电 衡量 器件 失效 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用沟道漏电衡量器件失效的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)测试不同偏置电压下的ASR，并多组采样，所述ASR为平均沟道漏电特性劣化率；
(2)对于相同偏置电压下的ASR，比较分布求平均值；
(3)把步骤(2)所得的ASR平均值，利用下述公式以幂指数模型推导出A、B拟合常数，
ASR＝A*(1/VD)^B
其中，VD为热载流子效应测试时晶体管漏端上所加的偏置电压；
(4)利用步骤(3)所述的公式及所得的A、B拟合常数，推导工作电压下的ASR；
(5)把步骤(4)所得的工作电压下的ASR，运用下述数学式得出特定晶体管沟道漏电劣化百分比下的劣化时间，该劣化时间即为工作电压下的晶体管沟道漏电劣化寿命，
其中，Ioff_deg是指在一定条件下晶体管沟道漏电劣化百分比，Time为劣化时间。
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