[发明专利]用于半导体制程中的金属防腐蚀清洗液

权利要求书

1.一种用于半导体中金属防腐蚀的清洗液，其特征在于：包括一种载体，还包括一种或多种有效清除金属表面各种残留，同时有效防止金属表面腐蚀的有机酸化学添加剂。

2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的有机酸化学添加剂为有机羧酸、有机膦酸、有机磺酸或含氮氨基酸以及它们的形成盐形成的组合物。

3.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的有机羧酸为柠檬酸、草酸、酒石酸、琥珀酸或马来酸中的一种或多种的组合。

4.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的有机膦酸包括烷基膦酸、苯基膦酸、1-羟基乙烯基-1，1-二膦酸、亚甲基膦酸，乙烯基-二胺-4、亚甲基膦酸、丁烷膦酰基-1，2，4-三羧酸、环己基-二胺-4、亚甲基膦酸、环丁烷基-三胺-5-亚甲基膦酸或多氨基多醚基四亚甲基膦酸中的一种或多种的组合。

5.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的有机磺酸包括甲基磺酸、乙基磺酸、二甲基磺酸或丁基磺酸内酯中一种或多种的组合。

6.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的含氮氨基酸包括甘氨酸、丙氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、缬氨酸、胱氨酸、半胱氨酸、甲硫氨酸、苏氨酸、丝氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、脯氨酸、羟脯氨酸，谷氨酸、天门冬氨酸、赖氨酸或精氨酸中的一种或多种的组合。

7.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的有机羧酸化学添加剂的重量百分比含量为0.05～5％。

8.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的有机膦酸化学添加剂的重量百分比含量为0.02～1％。

9.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的有机磺酸化学添加剂的重量百分比含量为0.02～1％。

10.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的氨基酸化学添加剂的重量百分比含量为0.05～5％。

11.如权利要求1至10任一所述的清洗液，其特征在于：所述的清洗液还包括PH调节剂、表面活性剂和/或聚合物金属防腐抑制剂。

12.如权利要求11所述的清洗液，其特征在于：所述的聚合物金属防腐抑制剂为聚丙烯酸类化合物、丙烯酸类化合物与苯乙烯的共聚化合物、丙烯酸类化合物与顺丁烯二酸酐的共聚化合物、丙烯酸类化合物与丙烯酸酯类的共聚化合物、膦酰基羧酸共聚物、丙烯酸-丙烯酸酯-磺酸盐三元共聚物或者丙烯酸-丙烯酸酯-膦酸-磺酸盐四元共聚物。

13.如权利要求11所述的清洗液，其特征在于：所述的聚合物金属防腐抑制剂分子量在2,000～3,000,000。

14.如权利要求13所述的清洗液，其特征在于：所述的聚合物金属防腐抑制剂重量百分比含量范围在0～20％。

15.如权利要求12～14所述的清洗液，其特征在于所述的聚合物金属防腐抑制剂为多聚羧酸和/或其盐为式I化合物：

式I

其中，R₁、R₂独自地为氢原子或碳原子数小于3的烷基，R₃为H、K、Na或NH₄。

16.如权利要求15所述的清洗液，其特征在于：所述的聚丙烯酸类化合物为聚丙烯酸。

17.如权利要求15所述的清洗液，其特征在于：所述的聚丙烯酸类化合物分子量为5,000～30,000。

18.如权利要求11或15所述的清洗液，其特征在于：所述的聚丙烯酸类化合物重量百分比含量为10ppm～5000ppm。

19.如权利要求4或5所述的清洗液，其特征在于：所述的清洗液还包括含氮杂环化合物为苯并三唑、吡唑和/或咪唑。

20.如权利要求19所述的清洗液，其特征在于：所述的清洗液还包括含氮杂环化合物为重量百分比含量为0～0.1％。

21.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的清洗液的pH值范围为2～7。

22.根据权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的载体为醇类和/或水。