[发明专利]一种含有混合磨料的低介电材料抛光液有效
| 申请号： | 200610030459.1 | 申请日： | 2006-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101130666A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 陈国栋;宋伟红;荆建芬;宋成兵;杨凯平 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含有 混合 磨料 低介电 材料 抛光 | ||
1.一种含有混合磨料的低介电材料抛光液，该抛光液包括两种或两种以上的抛光磨料，其特征在于：其中一种磨料为掺铝二氧化硅，第二种磨料包括二氧化硅、氧化铝、铝包裹二氧化硅或锆包裹二氧化硅中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的第二种磨料为二氧化硅。
3.根据权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅磨料的质量百分比浓度为0.5～15％。
4.根据权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅溶胶磨料的粒径是5～500nm。
5.根据权利要求4所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅溶胶磨料的粒径是10～100nm。
6.根据权利要求2所述的抛光液中，其特征是所述的第二种磨料的质量百分比浓度为0.5～15％。
7.根据权利要求2所述的抛光液中，其特征是所述的第二种磨料的粒径是10～100nm。
8.根据权利要求1至7任一项所述的抛光液，其特征在于：所述的抛光液的pH值为2～12。
9.根据权利要求1至8任一项所述的抛光液，其特征在于：所述的抛光液还包括阻蚀剂、氧化剂、速率增助剂或表面活性剂中的一种或多种。
10.根据权利要求9所述的抛光液，其特征在于：所述的阻蚀剂是苯并三唑。
11.根据权利要求9所述的抛光液，其特征在于：所述的氧化剂是过氧化氢。
12.根据权利要求9所述的抛光液，其特征在于：所述的速率增助剂是有机羧酸、有机羧酸盐、氨基酸或有机磷酸中的一种或多种。
13.根据权利要求12所述的抛光液，其特征在于：所述的速率增助剂是草酸、酒石酸、丁二酸、正丁胺、酒石酸铵、五硼酸铵、甘氨酸或乙二胺四甲叉磷酸中的一种或多种。
14.根据如权利要求9所述的抛光液，其特征在于：所述的表面活性剂包括阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性和两性离子表面活性剂。
15.根据如权利要求14所述的抛光液，其特征在于：所述的表面活性剂是聚丙烯酰胺、右旋糖苷、聚丙烯酸、聚乙二醇、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基三甲基溴化铵或四丁基氢氧化铵中一种或多种。
16.根据如权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述的抛光液用于抛光包含金属、阻挡层、二氧化硅和低介电材料结构的集成电路。
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