[发明专利]通孔刻蚀方法有效
| 申请号： | 200610030795.6 | 申请日： | 2006-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140881A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/66;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种通孔刻蚀方法，包括：
形成通孔刻蚀结构，所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层、辅助刻蚀终止层及图案化的光致抗蚀剂层；
将所述刻蚀终止层分为第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层，所述第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层分别具有第一厚度及第二厚度；
顺序刻蚀辅助刻蚀终止层、介质层及第一刻蚀终止层；
移除光致抗蚀剂层；
刻蚀第二刻蚀终止层及部分粘接层，同时进行终点检测。
2.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述通孔刻蚀结构包含抗反射涂层，即所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积粘接层、刻蚀终止层、介质层、辅助刻蚀终止层、抗反射涂层及图案化的光致抗蚀剂层。
3.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：在刻蚀辅助刻蚀终止层之前刻蚀抗反射涂层。
4.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述移除光致抗蚀剂层的步骤中包括移除所述抗反射涂层。
5.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述辅助刻蚀终止层与所述刻蚀终止层材料相同。
6.根据权利要求1或5所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述辅助刻蚀终止层及所述刻蚀终止层材料为氮化硅、碳化硅、碳氧化硅或碳氮化硅等材料中的一种或其任意组合。
7.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述辅助刻蚀终止层的厚度为所述刻蚀终止层的第二厚度及与所述刻蚀终止层的过刻蚀期望厚度的总和。
8.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述辅助刻蚀终止层的形成方法采用低压化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积方法等方法中的一种。
9.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述终点检测方法包括激光干涉法、反射图谱法或发射光谱法等方法中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610030795.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可移植文档格式文件的合并方法及装置
- 下一篇：基于低速CCD的高速图像传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
