[发明专利]可去除测试结构上寄生效应的射频片上电感测量方法

权利要求书

1.一种可去除测试结构上寄生效应的射频片上电感测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)引入一种通路结构，即在接有信号的两个焊盘之间连接一条与测试电感引线宽度相同的连线；

(2)计算上述通路结构使用开路结构去除焊盘的寄生效应后的S参数测试值，并将该S参数转换成相应的ABCD参数A_{_deembopen}；

(3)使用步骤(2)所得的S参数，计算出特征阻抗Z和传输常数γ；

(4)基于步骤(3)所求得的特征参数Z和γ，分别计算出测试结构中左右两条引线的ABCD参数A_{_left}和A_{_right}；

(5)基于所述左右引线的ABCD参数A_{_left}和A_{_right}，计算出去除引线寄生效应后的射频片上电感测量的ABCD参数A_{_dut}；

(6)将上述计算所得的去除引线寄生效应后射频片上电感测量的ABCD参数A_{_dut}转换成相应的S参数。

2.根据权利要求1所述的可去除测试结构上寄生效应的射频片上电感测量方法，其特征在于，所述传输常数γ的计算公式为：

$e^{-\mathrm{\γL}}={[\frac{1-S_{11}^2+S_{21}^2}{2S_{21}}\±K]}^{-1}$

其中，

$K={\left[\frac{{(S_{11}^2-S_{21}^2+1)}^2-{\left(2S_{11}\right)}^2}{{\left(2S_{21}\right)}^2}\right]}^{1/2}.$