[发明专利]低温原位生长In2O3纳米线的方法无效
| 申请号： | 200610031592.9 | 申请日： | 2006-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101062779A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李社强;梁迎新;聂棱;万青;王岩国;邹炳锁;王太宏 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 4100*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 原位 生长 in sub 纳米 方法 | ||
1.一种低温原位生长In2O3纳米线的方法，其特征在于，该方法的步骤如下：
(1)采用常规方法在基片上先镀上厚度在100—2000纳米范围内的In膜，然后再镀上厚度在20—100纳米范围的Au膜；
(2)将镀有In膜和Au膜的基片放入一个真空加热系统中，对真空加热系统抽真空至0.5帕以下后，再用高纯氩气对真空加热系统洗气至少2遍，向真空加热系统内通高纯Ar气，流量为20—100厘米3/分钟；
(3)对镀有In膜和Au膜的基片加热进行第一次退火，使其迅速升温至130℃，并在该温度下维持20—30分钟，整个退火过程中用机械泵对真空加热系统进行抽低压至1333.2-13332帕；
(4)在镀有In膜和Au膜的基片温度降至室温后，重新对真空加热系统抽真空至0.5帕以下，将通入真空加热系统的高纯Ar气改为由高纯Ar气和高纯O2气组成的混合气体，混合气体中高纯O2气含量范围为0.03％—0.1％，混合气体流量为20—100厘米3/分钟；
(5)对镀有In膜和Au膜的基片加热进行第二次退火，使其迅速升温至400℃，并在该温度下维持20—30分钟；整个退火过程中用机械泵对真空加热系统进行抽低压至1333.2-13332帕；待真空加热系统降至室温后取出样品。
2.根据权利要求1所述的低温原位生长In2O3纳米线的方法，其特征在于所用的真空加热系统为配备有圆盘状加热器的真空装置。
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