[发明专利]超声键合过程的键合力监测系统无效
申请号: | 200610031768.0 | 申请日: | 2006-06-05 |
公开(公告)号: | CN101086951A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 王福亮;韩雷;李军辉;钟掘 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66;H01L21/607;B23K20/10;B29C65/08 |
代理公司: | 中南大学专利中心 | 代理人: | 胡燕瑜 |
地址: | 410083*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超声键合 过程 合力 监测 系统 | ||
[技术领域]本发明涉及微电子封装中超声键合过程的键合力监测系统,特别是热超声键合力监测系统。
[背景技术]在热超声键合应用中,包括热超声引线键合和热超声倒装键合,键合力是影响键合可靠性和质量的重要因素。
关于超声键合过程中键合力的研究较多,目前关于键合力的研究,一般都是低频。典型的研究包括:
1、采用FEM的方法研究了键合力对引线键合中引线和焊盘接触压力的影响。但是,研究的假设是键合力在整个超声键合过程中是恒定的,但根据本方法的监测结果,键合力在键合过程中是变化的。
2、研究键合力对键合强度的影响规律。但研究没有涉及键合力如何影响键合强度。
[发明内容]本发明提出了一种装置,可以监测到超声键合过程中键合力的变化过程,为键合力如何影响键合强度的研究提供了基本的数据,也为键合力加载方式和控制方式提供了基础。
热超声倒装键合的工作原理为:首先,超声发生器将电能转换成机械能;然后,通过变幅杆、劈刀传递、放大、集中作用到芯片上,同时在热和通过劈刀加载的键合力作用下,使芯片凸点与基板焊盘键合在一起,实现芯片和基板电路互连。其中,键合力是影响键合的重要因素之一。
本发明采用高频力传感器、线性信号调理模块、高速数据采集卡和显示器,编制相关软件,实现对键合过程键合力的监测。
其中,力传感器通过螺纹与大质量的底座直接连接在一起,基板则放置在传感器上面。高速数据采集卡能够以500KHz以上的采样率记录数据,并实现数据的实时处理。高速数据采集卡和相关软件也可以用示波器替代。
此外,力传感器的响应频率至少75KHz,数据采集卡的采样频率至少500KHz以上,才能获得键合过程中,键合力的详细变化过程,为键合力对键合强度的影响机理研究、为键合力控制提供依据。
与现有的技术相比,本发明具有以下优点:
1)将键合力传感器嵌入键合系统中,可以实现超声键合过程中键合力的实时在线监测;
2)高频测力传感器可以获得键合过程中键合力变化的详细细节;
3)本发明的信号提取方式不会影响键合系统的性能。
[附图说明]
图1为本发明系统原理图;
图2为力传感器的装配图;
图3为键合过程中键合力变化过程。
[实施方式]以热超声倒装键合系统为例。如图2所示,选用合适的动态压电传感器2作为键合力传感器,传感器的响应频率为75KHz以上,传感器外接线3采用防干扰低噪音连接线,50米内几乎无衰减;传感器2与键合台1之间通过螺纹连接,这样不仅连接牢固,而且可以防止力传感器和键合台之间发生相对移动,从而保证测量精度。传感器信号接出后,采用场效应电压放大器进行放大;放大后的信号直接输入数据采集卡,数据采集卡采用NI6111数据采集卡,数据采集系统采用LabView进行编程开发。
采用上述方法和软硬件系统,可以获得如图3所示的超声键合过程中键合力变化过程。
由图3可知:在0ms时刻启动键合过程,在5ms时刻开始加载键合力,键合力加载过程近似为欠阻尼系统的阶跃响应。在45ms时刻才开始加载超声振动。键合过程中先加载键合力,后加载超声,超声和键合力同时作用,将金凸点键合在基板焊盘上,完成芯片和基板互连。键合完成后,在155ms时刻关闭超声,在160ms时刻卸载键合力,超声先卸载,键合力后卸载。
此外,由图3可知:超声键合过程中键合力不是恒定的,而是随着超声振动而变化的动态过程,这样的变化过程于键合强度的形成有关。
这样的加载过程认识对于超声键合中键合力的加载过程控制、键合力对键合质量的影响机理认识都有积极意义。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造