[发明专利]平面型单硅双金属层功率器件及制造方法无效
| 申请号： | 200610035992.7 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1897304A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 吴纬国 | 申请（专利权）人： | 广州南科集成电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/822 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 | 代理人： | 李彦孚 |
| 地址： | 510663广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 型单硅 双金属 功率 器件 制造 方法 | ||
【说明书】：
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