[发明专利]霍尔源激励磁控溅射增强型磁过滤多弧离子复合镀膜方法有效
| 申请号： | 200610042978.X | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101058870A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 田增瑞;徐可为 | 申请（专利权）人： | 西安宇杰表面工程有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/54 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司 | 代理人： | 吕宏 |
| 地址： | 710075陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 霍尔 激励 磁控溅射 增强 过滤 离子 复合 镀膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种霍尔源激励磁控溅射增强型磁过滤多弧离子复合镀膜方法，包括对反应室内抽真空和工件表面镀膜，其特征是本方法包括以下步骤：
——获取真空环境：将待处理工件置入霍尔源激励磁控溅射增强型磁过滤多弧离子复合镀膜设备的炉体反应室内，对反应室内抽真空至1.0×10-2Pa-5.0×10-4Pa，温度保持在50-100℃；
＿＿离子活化清洗：向反应室通入流量为50-100ml/min的氩气，开启脉冲偏压并保持偏压逐渐增大并稳定在900-1000V，控制占空比为30—90％；
——过渡膜层预镀：开启磁控靶沉积5-30min纯Ti并施以偏压500-1000V；
——工作膜层施镀：开启多弧靶，控制氮气量为100—500ml/min，占空比30—90％，偏压为100-900V，弧电流50-100A，沉积时间为0.5—2h。
2、根据权利要求1所述的霍尔源激励磁控溅射增强型磁过滤多弧离子复合镀膜方法，其特征是工作膜层施镀步骤中弧电流为75A，沉积时间为1.5h。
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