[发明专利]低缺陷密度、自间隙原子为主的硅无效
| 申请号： | 200610058336.9 | 申请日： | 1998-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1854353A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | R·法尔斯特;S·A·马克格拉夫;S·A·麦奎德;J·C·霍尔泽;P·马蒂;B·K·约翰逊 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;吴鹏 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缺陷 密度 间隙 原子 为主 | ||
【说明书】：
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