[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其包括一基底、一源极、一漏极、一通道区域、一栅极绝缘层、一钝化层、一栅极及一金属层图案，该源极、漏极及通道区域形成在该基底上且位于同一层，该通道区域位于该源极及漏极之间，该栅极绝缘层形成在该通道区域上，该钝化层形成在该源极、漏极及通道区域上，且位于该栅极绝缘层两侧，该钝化层包括多个接触孔，该金属层图案设置在该钝化层上，且通过该多个接触孔与该源极、漏极及栅极欧姆接触，其特征在于：该钝化层介电常数小于栅极绝缘层介电常数，该栅极形成在该栅极绝缘层及部分钝化层上，且与该通道区域对应。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该栅极绝缘层材质为氧化硅材质。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该钝化层材质为氨氧氮化物、硅氧碳氢化合物、多孔聚硅氨烷、苯丙环丁稀、氟化亚芳香醚、芳香族碳氢化合物、黑钻石、有机硅烷高分子、聚亚芳香醚或类金刚石的一种或多种。

4.如权利要求所述的薄膜晶体管，其特征在于：该栅极绝缘层相较于栅极两端分别向内缩进一部份，在该栅极下方两端形成二缺口。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该钝化层延及至该二缺口内。

6.一种薄膜晶体管制造方法，其包括以下步骤：提供一基底，其上形成一半导体层；在该半导体层上沉积氧化硅形成栅极绝缘层；该栅极绝缘层上形成具预定图案的栅极；以该栅极为遮蔽，湿蚀刻该栅极绝缘层，使部分栅极绝缘层余留在该栅极下方，同时该栅极两端下方分别形成一缺口；利用栅极当作屏蔽，在半导体层内进行重掺杂，形成漏极及源极；在该栅极、漏极、源极上及该二缺口内旋涂一钝化层，该钝化层介电常数小于栅极绝缘层介电常数。

7.如权利要6所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于：该栅极绝缘层材质为氧化硅材质。

8.如权利要6所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于：该钝化层材质为氨氧氮化物、硅氧碳氢化合物、多孔聚硅氨烷、苯丙环丁稀、氟化亚芳香醚、芳香族碳氢化合物、黑钻石、有机硅烷高分子、聚亚芳香醚或类金刚石的一种或多种。

9.如权利要6所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于：进一步包括蚀刻该钝化层形成多个接触孔的步骤。

10.如权利要6所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于：进一步包括在该钝化层上沉积一金属层，并进行图案化处理形成一金属层图案的步骤。