[发明专利]场发射元件及其制备方法

权利要求书

1.一种场发射元件，其特征在于，该场发射元件包括一碳纳米管场发射线材及一包覆在该碳纳米管场发射线材外表面的支撑体保护层。

2.如权利要求1所述的场发射元件，其特征在于，该碳纳米管场发射线材为碳纳米管线、线状碳纳米管-聚合物复合材料或线状碳纳米管-玻璃复合材料。

3.如权利要求1所述的场发射元件，其特征在于，该支撑体保护层的厚度为1微米～1000微米。

4.如权利要求2所述的场发射元件，其特征在于，该碳纳米管场发射线材的直径为0.1微米～5毫米。

5.如权利要求2所述的场发射元件，其特征在于，该碳纳米管-聚合物复合材料包括聚合物材料和均匀分散于该聚合物材料中的碳纳米管。

6.如权利要求2所述的场发射元件，其特征在于，该碳纳米管-玻璃复合材料包括玻璃和均匀分散在该玻璃中的碳纳米管和导电金属颗粒。

7.如权利要求5或6所述的场发射元件，其特征在于，该碳纳米管直径为0.5纳米～100纳米。

8.如权利要求5或6所述的场发射元件，其特征在于，该碳纳米管-聚合物复合材料或碳纳米管-玻璃复合材料中碳纳米管的质量百分比含量为0.2％～10％。

9.如权利要求1所述的场发射元件，其特征在于，该支撑体保护层材料为铜、银、金、镍、钼、玻璃或陶瓷。

10.如权利要求5所述的场发射元件，其特征在于，该聚合物材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯丙烯-苯乙烯共聚物或聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物。

11.一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤：

提供一碳纳米管场发射线材；

在该碳纳米管线材外表面形成一支撑体保护层；

按照预定长度切割该碳纳米管场发射线材，并在切割后对其进行表面处理，形成场发射元件。

12.如权利要求11所述的场发射元件的制备方法，其特征在于，该切割方法包括机械剪切或激光切割。

13.如权利要求11所述的场发射元件的制备方法，其特征在于，该表面处理方法包括激光照射、机械摩擦或大电流场发射老化。