[发明专利]互阻放大器

权利要求书

1.一种互阻放大器，用于将电流信号转化成电压信号，其单级放大电路包括：第一晶体管和第二晶体管，该第一、第二晶体管的栅极连接作为输入端用以输入信号，其漏极互相连接，该第一晶体管的源极接地，该第二晶体管的源极与第一电源连接，其特征在于：该单级放大电路还包括：第三晶体管和第四晶体管，该第三晶体管的栅极和源极、第四晶体管的源极与第二晶体管的源极连接，该第三、第四晶体管的漏极与第二晶体管的漏极连接作为输出端用以输出信号，该第四晶体管的栅极接地，当与该互阻放大器连接的光电二极管将光信号转化成电流信号输入至该互阻放大器时，该第三、第四晶体管可通过增加第一晶体管的电流来增加光电二极管的光电转换效率。

2.如权利要求1所述的互阻放大器，其特征在于：该第一晶体管是NMOS晶体管，该第二、第三和第四晶体管是PMOS晶体管。

3.如权利要求1所述的互阻放大器，其特征在于：该互阻放大器包括一个反馈网络，该反馈网络包括一个第五晶体管，其栅极接地，其源极和漏极分别与输出端和输入端连接，该第五晶体管可以保障该互阻放大器输出电压的稳定性。

4.如权利要求3所述的互阻放大器，其特征在于：该第五晶体管是PMOS晶体管。

5.如权利要求4所述的互阻放大器，其特征在于：该反馈网络还包括第一电容，该第一电容的两端分别与该互阻放大器的输入输出端连接，该第一电容可使该互阻放大器的频率响应平坦化。

6.如权利要求3、4或5所述的互阻放大器，其特征在于：该反馈网络还包括一个寄生电容补偿模块，该寄生电容补偿模块包括第六晶体管，第七晶体管和第二电容，该第六晶体管的栅极与该互阻放大器的输入端连接，其源极与该互阻放大器的输出端连接，其漏极与第二电容的一端连接；该第七晶体管的栅极与该互阻放大器的输出端连接，其源极接地，其漏极与第二电容的另一端连接，该寄生电容补偿模块可以使该互阻放大器获得足够的相位裕度以保持电路稳定。

7.如权利要求6所述的互阻放大器，其特征在于：该第六晶体管和第七晶体管均为PMOS晶体管。

8.如权利要求6所述的互阻放大器，其特征在于：该第二电容两端连接第二电压源。

9.如权利要求1或8所述的互阻放大器，其特征在于：该互阻放大器采用0.6μmCMOS工艺。

10.如权利要求5所述的互阻放大器，其特征在于：该第五晶体管的等效电阻值是12kΩ，第一～第七晶体管均为最小的沟道长度，第一电容的值为1pf。