[发明专利]蚀刻液喷射装置及蚀刻方法无效
申请号: | 200610061866.9 | 申请日: | 2006-07-28 |
公开(公告)号: | CN101113523A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 李文钦;林承贤 | 申请(专利权)人: | 富葵精密组件(深圳)有限公司;鸿胜科技股份有限公司 |
主分类号: | C23F1/08 | 分类号: | C23F1/08;B05B9/00 |
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地址: | 518103广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 喷射 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种蚀刻液喷射装置及一种蚀刻方法,尤其涉及一种用于蚀刻水平放置的基板的蚀刻液喷射装置及一种蚀刻方法。
背景技术
印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)作为各种电子元件的载体广泛应用于各种电子产品的封装。出于对挠性的需求,近年来柔性电路板(Flexible PrintedCircuit Board,FPCB)发展迅速。相比于PCB,FPCB采用可挠曲基材,但是FPCB的生产制程与PCB大体相似。
蚀刻制程是PCB制造的一个基本生产步骤:首先采用抗蚀剂盖住覆铜板上需保留的导线及元器件引脚,利用蚀刻液去除未被抗蚀剂覆盖部分的铜,生成需要的导电线路。而目前由于电子技术的飞速发展,对于电路板集成度要求越来越高,电路板上的导电线路宽度也越来越小,同一电路板上导电线路的尺寸公差也要尽可能的小。这要求蚀刻制程中的蚀刻效果尽可能保持一致。
水平湿制程生产线的自动化程度较高,因而成本较低,PCB制造商在生产中使用较多。此种制程中采用水平滚轮带动电路板,利用喷管阵列上的喷嘴向电路板上下表面上同时喷洒蚀刻液,其中每个喷管上可安装多个喷嘴。但湿制程的蚀刻过程中无法避免水坑效应(Puddle Effect)。
所谓水坑效应,是指电路板上板面上蚀刻效果不同,明确的说,电路板中央部位的蚀刻速率要比边缘部分的蚀刻速率要慢。这是由于水平湿制程蚀刻线路时,利用喷嘴同时向整个板面上喷射蚀刻液。现有的蚀刻设备中,通过调整喷嘴设置如改变喷射角度以及在喷射时旋转喷嘴等手段使得喷射时整个电路板面上可以得到均匀量的蚀刻液。但对于电路板上表面,其边缘处的蚀刻液容易流走,从而电路板边缘部分的蚀刻液更新速度快,蚀刻速度也快。而电路板中央部位的蚀刻液不易流走,这部分蚀刻液会形成一个“水坑”,从而阻挡电路板中央部位处蚀刻液的更新,线路板的铜层接触的是已经反应完毕,蚀刻能力低的蚀刻液,相比于电路板边缘部分,蚀刻速度低。电路板表面上不同地方蚀刻速度的差异会导致线路宽度的不均匀。为了保护足够的线宽,不得不对电路板边缘部分的线路预留多余的线宽,从而降低了电路板中的线路密度。
以上仅以电路板为例说明了水坑效应,但是只要是对水平放置的基板进行蚀刻时都存在水坑效应。
有鉴于此,有必要提供一种可克服水坑效应,从而可提高蚀刻均匀性,进而提高水平板蚀刻精度的蚀刻液喷射装置。
发明内容
以下以实施例说明一种可克服水坑效应的蚀刻液喷射装置,从而提高蚀刻均匀性,进而可提高蚀刻精度的蚀刻液喷射装置,及一种蚀刻方法。
所述的蚀刻液喷射装置包括多根喷管、多个安装在所述喷管上的喷嘴及增压装置,所述增压装置增加所述喷管中的喷射压力使用于向待蚀刻电路板中央部分喷射蚀刻液的喷嘴喷射压力高于向待蚀刻电路板边缘部分喷射蚀刻液的喷嘴的喷射压力。
所述的蚀刻方法,其使用多个安装在多个喷管上的喷嘴向电路板表面上喷射蚀刻液,并使用增压装置增加所述喷管内的压力,使向电路板中央部位喷射蚀刻液的喷嘴的喷射压力大于用于向电路板边缘处喷射蚀刻液的喷嘴的喷射压力。
所述的蚀刻液喷射装置及蚀刻方法中,可利用增压装置使用于向待蚀刻基板中央部分喷射蚀刻液的喷嘴的喷射压力增高,因此蚀刻液喷射速度高,基板中央部分的蚀刻液更新较慢高,蚀刻速度快,可平衡由于水坑效应对基板中央部分影响,可以得到整个板面蚀刻效果均匀的基板,从而蚀刻精度得以提高。
附图说明
图1是第一实施例的蚀刻液喷射装置示意图。
图2是第二实施例的蚀刻液喷射装置示意图。
图3是第三实施例的蚀刻液喷射装置示意图。
图4是第四实施例的蚀刻液喷射装置示意图。
具体实施方式
参阅图1,第一实施例的蚀刻液喷射装置包括泵11a、11b,阀门12a、12b,多根喷管13及增压装置16。每个喷管13上安装有多个喷嘴14。各喷管13之间相互平行设置,当然喷管13之间也可成一定角度设置。增压装置16可为泵,每个喷管13中央部位上设有注液孔15。增压装置16通过注液孔15向喷管13内注入蚀刻液,从而提高喷管13中央部位的喷射压力。还可以通过注液孔15向喷管13内注入空气、氧气等可以促进蚀刻反应进行的气体,从而中央部位喷射出的含有上述气体的蚀刻液与两端的蚀刻液相比,具有更强的蚀刻能力,蚀刻速度更快,可抵消中央部位的水坑效应。
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